Vishay Intertechnologies SQJ431AEP-T1_GE3
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SQJ431AEP-T1_GE3
2668-SQJ431AEP-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.315ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8L, 4 PIN
--最小包装量--
SQJ431AEP-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQJ431AEP-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
20 Weeks
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1210
Case - mm
3225
Capacitors series
KGM
Gross weight
0.028 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SO-8L, 4 PIN
Drain Current-Max (ID)
9.4 A
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-30...85°C
容差
-20...80%
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Pure Matte Tin (Sn) - annealed
电容量
10µF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G4
电介质
Y5V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.315 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
37 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
Operating voltage
10V
SQJ431AEP-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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