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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.272857
10
¥13.464959
100
¥12.702793
500
¥11.983768
1000
¥11.305437
Vishay Intertechnologies SQJA62EP-T1_GE3
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- 对比
SQJA62EP-T1_GE3
2668-SQJA62EP-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8L, 4 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQJA62EP-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQJA62EP-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SO-8L, 4 PIN
Drain Current-Max (ID)
75 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
75 ns
Turn-on Time-Max (ton)
45 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0045 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
140 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
88 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
80 pF
SQJA62EP-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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