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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.721285
10
¥5.397439
100
¥5.091927
500
¥4.8037
1000
¥4.531797
Vishay Intertechnologies SQJA68EP-T1_GE3
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- 对比
SQJA68EP-T1_GE3
2668-SQJA68EP-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-4
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQJA68EP-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQJA68EP-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
表面安装
YES
房屋材料
nickel-plated brass
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SOP-4
Drain Current-Max (ID)
14 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
40 ns
Turn-on Time-Max (ton)
25 ns
Gross Weight
13.65
Transport Package size/quantity
62*27.5*28/200
Emitter Type
point flat
Indicator Type
GQ14 series vandal-proof indicator
Teral Type
2Pmin
Mounting Diameter
14 mm
ECCN 代码
EAR99
颜色
purple
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
额定电流
15 mA
漏极-源极导通最大电阻
0.092 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
17 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
4 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
45 W
额定电压
12-24 V
反馈上限-最大值 (Crss)
20 pF
SQJA68EP-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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