注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.820769
10
¥8.321483
100
¥7.850453
500
¥7.406088
1000
¥6.986876
Vishay Intertechnologies SQS481ENW-T1_GE3
- 收藏
- 对比
SQS481ENW-T1_GE3
2668-SQS481ENW-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 150V, 1.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQS481ENW-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQS481ENW-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
0805
Case - mm
2012
Capacitors series
KAF
Gross weight
0.035 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
4.7 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
25.3 ns
Turn-on Time-Max (ton)
13.3 ns
Operating temperature
-55...125°C
容差
±10%
ECCN 代码
EAR99
电容量
68nF
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-PDSO-F8
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.095 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
19 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
0.8 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
13 pF
Operating voltage
50V
SQS481ENW-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。