Vishay Intertechnologies SUP85N15-21-E3

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

NO

材料

contacts - phosphor bronze with coating

本体材质

thermoplastic (UL94V-0); stainless steel

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Gross Weight

0.76

Transport Package Size/Quantity

34.5*34.5*28/3000

Cycle Durability

not less than 3000

Dielectric Strength

500 (50 Hz / 1 min.) V

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

LEAD FREE PACKAGE-3

Drain Current-Max (ID)

85 A

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

KF SIM Card Holder, Nano-SIM (4FF)

端子表面处理

镍外哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

深度

13.3 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

接头数量

6P

触点电阻

≤50 mOhm

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

绝缘电阻

≥1000 MOhm

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

工作温度范围

-25...70 °C

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.021 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180 A

DS 击穿电压-最小值

150 V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

300 W

饱和电流

1

高度

1.4 mm

宽度

11.04 mm