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Winbond W988D6FBGX7I

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型号

W988D6FBGX7I

品牌

Winbond

utmel 编号

2736-W988D6FBGX7I

商品类别

存储器

封装

54-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA

起订量

1最小包装量--

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W988D6FBGX7I Winbond IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA

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W988D6FBGX7I详情

Winbond W988D6FBGX7I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 包装/外壳

    54-TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    Aluminum

  • 供应商器件包装

    54-VFBGA (8x9)

  • 插入材料

    Thermoplastic

  • 终端数量

    54

  • 后壳材料,电镀

    -

  • Voltage, Rating

    -

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    TVP00RQW

  • 厂商

    Amphenol Aerospace Operations

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Memory Types

    Volatile

  • Package Description

    8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-54

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    16000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA54,9X9,32

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    5.4 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    W988D6FBGX7I

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    133 MHz

  • Number of Words

    16777216 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Winbond Electronics Corp

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    WINBOND ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.68

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV

  • 终端

    Crimp

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 定位的数量

    6 (Quadrax)

  • 颜色

    橄榄色

  • 应用

    Aviation, Marine, Military

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 紧固类型

    Threaded

  • 子类别

    DRAMs

  • 额定电流

    -

  • 技术

    SDRAM - Mobile LPSDR

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 1.95V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 方向

    N (Normal)

  • 终端形式

    BALL

  • 屏蔽/屏蔽

    Shielded

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 入口保护

    抗环境干扰

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 外壳完成

    橄榄色镉

  • 外壳尺寸-插入

    23-6

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B54

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    1.8 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 内存大小

    256Mbit

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 时钟频率

    133 MHz

  • 电源电流-最大值

    0.07 mA

  • 电缆开口

    -

  • 访问时间

    5.4 ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    LVCMOS

  • 组织结构

    16MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.025 mm

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 待机电流-最大值

    0.00001 A

  • 记忆密度

    268435456 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    同步剧

  • 电压 - 供电 (最大值)

    1.95 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.7 V

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    1,2,4,8,FP

  • 交错突发长度

    1,2,4,8

  • 访问模式

    四库页面突发

  • 特征

    -

  • 自我刷新

    YES

  • 组织的记忆

    16M x 16

  • 宽度

    8 mm

  • 长度

    9 mm

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    50.0µin (1.27µm)

  • 材料可燃性等级

    -

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