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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	表面安装	引脚数	终端数量																																																													操作温度	已出版	系列	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	配置	电压	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	速度	操作模式	uPs/uCs/外围ICs类型	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	最高频率	锁相环	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	编程电压	电容量	刷新周期	特征
SQF-P10S2-2G-P8E	Advantech Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	Socket	CompactFlash®				-40°C~85°C	2013			活跃	1 (Unlimited)				85°C	-40°C																								2GB												16 Gb																							ROHS3 Compliant
SQF-P10S2-16G-P8E	Advantech Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	Socket	CompactFlash®				-40°C~85°C	2013			活跃	1 (Unlimited)				85°C	-40°C																								16GB												128 Gb																							ROHS3 Compliant	无铅
M393A2K40BB0-CPB00	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	EAR99	8473.30.11.40	DRAM模块	16Gbyte	18	8G	72	2133	2Gx4	78FBGA	1.14	1.2	1.26	1860	无	Single	15	DIM	RDIMM	Socket	31.25	133.35	4.3(Max)	288	No Lead																												288																				2Gx72																						288RDIMM
SQF-S10S2-2G-S9E	Advantech Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	NO	CompactFlash®				-40°C~85°C	2014	SQF-S10 630	yes	活跃	1 (Unlimited)							8542.32.00.71		DUAL	无铅	未说明	1			unknown	未说明		R-XDMA-N											2GB			ASYNCHRONOUS					2GX8			8			17179869184 bit																					ROHS3 Compliant
SFSD2048N3BM1TO-E-GE-2CP-STD	Swissbit	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	17 Weeks	microSD™					-25°C~85°C		S-46u		不用于新设计	不适用																													2GB		Class 10, UHS Class 1																																	ROHS3 Compliant
SQF-S10S1-1G-S9C	Advantech Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13 Weeks	NO	CompactFlash®				0°C~70°C	2014	SQF-S10 630	yes	活跃	1 (Unlimited)							8542.32.00.71		DUAL	无铅	未说明	1			unknown	未说明		R-XDMA-N											1GB			ASYNCHRONOUS					1GX8			8			8589934592 bit																					ROHS3 Compliant
SFCF2048H2BU2TO-C-MS-527-STD	Swissbit	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4 Weeks	CompactFlash®					0°C~70°C	2014	C-440		活跃	1 (Unlimited)				70°C	-40°C															5V									2GB																																			ROHS3 Compliant
SFCF2048H1BK1TO-I-DT-553-SMA	Swissbit	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	17 Weeks	YES	CompactFlash®				-40°C~85°C		C-300		不用于新设计	1 (Unlimited)	50					ALSO OPRATES AT 5V			UPPER	无铅			3.3V					R-XUUC-N50			3.63V			2.97V					2GB				SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE															16								66 MBps	IDE	ATA; PCMCIA; PC-AT		4.1mm	42.8mm	36.4mm		ROHS3 Compliant
RP-SDME04DA1	Panasonic Electronic Components	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	YES	SDHC™				-25°C~85°C	2014	ME	yes	Obsolete	1 (Unlimited)									UPPER	无铅	未说明	1			unknown	未说明		X-XUUC-N											4GB		Class 10, UHS Class 1	ASYNCHRONOUS					4GX8			8			34359738368 bit																					符合RoHS标准	无铅
SFSD0512N1BN1TO-E-ME-161-STD	Swissbit	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	20 Weeks	YES	microSD™				-25°C~85°C	2015	S-200u	yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	8								UPPER	无铅	未说明	1	3.3V			未说明		R-XUUC-N8		3.3V	3.6V			2.7V					512MB		Class 6	SYNCHRONOUS		50MHz			512MX8			8			4294967296 bit			SERIAL														1.1mm	15mm	11mm		ROHS3 Compliant
SFSD8192N3BM1TO-I-GE-2B1-STD	Swissbit	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	20 Weeks	YES	microSDHC™				-40°C~85°C	2016	S-45u	yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	8	3A991.B.1.A					8542.32.00.51		UPPER	无铅	未说明	1	3.3V			未说明		R-XUUC-N8			3.6V			2.7V					8GB		Class 10, UHS Class 1	SYNCHRONOUS		100MHz			8GX8			8			68719476736 bit			SERIAL				3.3V										1.1mm	15mm	11mm	无SVHC	ROHS3 Compliant
KVR16LN11/8	Kingston Technology	数据表	12 In Stock	1: ¥297.935650 10: ¥281.071371 100: ¥265.161670 500: ¥250.152518 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	240	1.35/1.5	1.45/1.575	0	85	Double	无	Dual	11	PC3L-12800	有	DIM	DIMM	Socket	30	133.35	240	No Lead	8GB	8GB	ValueRAM	240	DIMM-240	微电子组件	1000000000	UNSPECIFIED	85 °C	KVR16LN11/8	1073741824 words	1.35 V	DIMM	RECTANGULAR	Kingston Technology Company	接触制造商	KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC	5.21				EAR99	8473.30.11.40	DRAM模块	8Gbyte	16	4G	64	800	512Mx8	FBGA	1.28/1.425					活跃			EAR99	ValueRAM			ALSO OPERATES AT 1.5V ; PROGRAMMABLE CAS LATENCY; SEATED HGT-NOM	8473.30.11.40	CMOS	DUAL	无铅		1			compliant		240	R-XDMA-N240			1.45 V		OTHER	1.28 V	240-pin DIMM	1.35 V, 1.5 V				1	1600MHz	SYNCHRONOUS					1Gx64		30 mm	64			68719476736 bit		无				DDR内存模块		8 GB		多库页面突发	Unbuffered	有				240DIMM		133.35 mm		是,有豁免
M378A5143EB2-CRC	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	288	2.7(Max)	288	DIMM,	微电子组件	512000000	UNSPECIFIED	M378A5143EB2-CRC	536870912 words	1.2 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.84				EAR99	8473.30.11.40	DRAM模块	4Gbyte	8	4G	64	2400	512Mx8	78FBGA	1.14	1.2	1.26	720	有	Single	17	UDIMM	Socket	31.25	133.35					Obsolete							AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1			compliant		288	R-XDMA-N288			1.26 V			1.14 V						1		SYNCHRONOUS					512Mx64		31.4 mm	64			34359738368 bit						DDR内存模块				单库页面突发		YES				288UDIMM		133.35 mm	2.7 mm
M393B2G70QH0-CK0	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	240	Double	无	Dual	11	有	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead	DIMM,	微电子组件	2000000000	UNSPECIFIED	85 °C	M393B2G70QH0-CK0	2147483648 words	1.5 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	活跃	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.7				4A994.a	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	1600	1Gx4	78FBGA	1.425	1.5	1.575	2800	0	95					Obsolete							AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1		1 mm	compliant		240	R-XDMA-N240			1.575 V		OTHER	1.425 V						1		SYNCHRONOUS					2Gx72		30.15 mm	72			154618822656 bit		无				DDR内存模块				双库页面突发		有				240RDIMM		133.35 mm	4 mm		符合RoHS标准
M470T2864EH3-CE6	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	USODIMM	Socket	30	67.6	3.8(Max)	200	No Lead						4A994.a	DRAM模块	1Gbyte	8	1G	64	0.45	667	64Mx16	FBGA	1.7	1.8	1.9	428	0	95	Commercial	Double	无	Dual	8	5	有	DIM					Obsolete																		200																				128Mx64								无										有				200SODIMM					符合RoHS标准
M393B2G70BH0-CMA	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	30	133.35	4(Max)	240	No Lead						4A994.a	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	20	1866	1Gx4	FBGA	1.425	1.5	1.575	2800	0	95	Double	有	Dual	8	13	有	DIMM	RDIMM	Socket					Obsolete																		240																				2Gx72								无										有				240RDIMM					符合RoHS标准
M393B5270CH0-CH9	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Socket	240	30	133.35	4(Max)	240	No Lead	18	Compliant				4A994.a	DRAM模块	4Gbyte	18	2G	72	0.255	1333	512Mx4	FBGA	1.425	1.5	1.575	2880	0	95	Double	有	Single	8	9	有	DIMM	RDIMM	Socket					Obsolete					95 °C	0 °C												240			1.5 V							1.575 V	1.425 V								255 ps	512Mx72							1.333 GHz	无										有				240RDIMM					符合RoHS标准
M378B5173DB0-CK0	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	240	UDIMM	Socket	30	133.35	2.7	240	No Lead	DIMM,	微电子组件	512000000	UNSPECIFIED	85 °C	M378B5173DB0-CK0	536870912 words	1.5 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.71				4A994.a	DRAM模块	4Gbyte	4G	72	20	1600	1.425	1.5	1.575	1080	0	95	无	Single	11	无	DIM					Obsolete							AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1		1 mm	unknown		240	R-XDMA-N240			1.575 V		OTHER	1.425 V						1		SYNCHRONOUS					512Mx64		30.15 mm	64			34359738368 bit		无				DDR内存模块				单库页面突发		有				DIMM		133.35 mm	2.7 mm		符合RoHS标准
M393B2G70DB0-YH9	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4A994.a	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	1333	1Gx4	FBGA	1.35	0	85	Commercial	Double	无	Dual	9	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead										Obsolete																		240																				2Gx72																						240RDIMM					符合RoHS标准
M391A2K43BB1-CPB	Samsung Electronics	数据表	14 In Stock	1: ¥205.252819 10: ¥193.634732 100: ¥182.674278 500: ¥172.334228 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1			EAR99	8542.32.00.71	DRAM模块	16Gbyte	18	8G	72	2133	1Gx8	78FBGA	1.14	1.2	1.26	1125	Double	有	Dual	16	15	无	UDIMM	Socket	31.25	133.35	3.9(Max)	288								活跃																		288																				2Gx72								无										有				288UDIMM					符合RoHS标准
M378A5143DB0-CPB	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	288	FBGA	表面贴装	11	7.5	78	DIMM, DIMM288,33	微电子组件	512000000	UNSPECIFIED	DIMM288,33	0.18 ns	85 °C	有	M378A5143DB0-CPB	1066 MHz	536870912 words	1.2 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	活跃	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.74				4A994.a	8542.32.00.71	DRAM模块	4Gbyte	8	4G	64	2133	512Mx8	78FBGA	1.2	0	85	Commercial	无	Single	15					Obsolete			EAR99				AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1			compliant		78	R-XDMA-N288	不合格		1.26 V	1.2 V	OTHER	1.14 V						1		SYNCHRONOUS			1.18 mA		512Mx64	3-STATE	31.4 mm	64		0.06 A	34359738368 bit				COMMON		DDR内存模块			8192	单库页面突发		YES				288UDIMM		133.35 mm	2.7 mm		符合RoHS标准
M378B1G73BH0-CH9	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4(Max)	240	No Lead						4A994.a	DRAM模块	8Gbyte	16	4G	64	0.255	1333	512Mx8	1.425	1.5	1.575	880	0	95	Double	无	Dual	8	9	有	DIM	UDIMM	Socket	30	133.35					Obsolete																		240																				1Gx64								无										有				240UDIMM					符合RoHS标准
M378A2K43BB1-CPB	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	288	DIMM,	微电子组件	2000000000	UNSPECIFIED	M378A2K43BB1-CPB	2147483648 words	1.2 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	生命周期结束	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.73				EAR99	DRAM模块	16Gbyte	16	8G	64	2133	1Gx8	78FBGA	1.14	1.2	1.26	984	无	Dual	15	UDIMM	Socket	31.25	133.35	4.1(Max)	288					LTB			EAR99				AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1		0.85 mm	compliant		288	R-XDMA-N288			1.26 V			1.14 V						1		SYNCHRONOUS					2Gx64		31.4 mm	64			137438953472 bit						DDR内存模块				双库页面突发		YES				288UDIMM		133.35 mm	3.9 mm		符合RoHS标准
M392A4K40BM0-CPB	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4A994.a	8473.30.11.40	DRAM模块	32Gbyte	18	16G	72	1066	4Gx4	FBGA	1.2	0	85	Commercial	Double	无	Dual	15	有	VLP RDIMM	Socket	18.75	133.35	3.9(Max)	288										Obsolete																		288																				4Gx72								无										无				288VLP RDIMM					符合RoHS标准
M393B2G70BH0-CK0	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	240	1600	1Gx4	FBGA	1.425	1.5	1.575	2800	0	95	Double	有	Dual	8	11	有	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead	DIMM, DIMM240,40	微电子组件	2	2000000000	UNSPECIFIED	DIMM240,40	40	0.225 ns	85 °C	有	M393B2G70BH0-CK0	800 MHz	2147483648 words	1.5 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	活跃	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.45				4A994.a	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	20				有	Obsolete							AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅	260	1		1 mm	compliant		240	R-XDMA-N240	不合格		1.575 V	1.5 V	OTHER	1.425 V						1		SYNCHRONOUS					2Gx72	3-STATE	30.15 mm	72			154618822656 bit		无		COMMON		DDR内存模块			8192	双库页面突发		有			240RDIMM		133.35 mm	4 mm	是,有豁免