Diodes Incorporated DMN2008LFU-7

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFDFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最大功率耗散

1W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N6

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.4m Ω @ 5.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250A

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1418pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

14.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.0096Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant