Infineon Technologies IRG4PC50F-EPBF

工厂交货时间

11 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 39A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

240 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

200W

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

31 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.6V

最大集电极电流

70A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

20V

接通时间

52 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.6V @ 15V, 39A

关断时间-标准值（toff)

620 ns

闸门收费

190nC

集极脉冲电流（Icm）

280A

Td（开/关）@25°C

31ns/240ns

开关能量

370μJ (on), 2.1mJ (off)

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

190ns

高度

20.701mm

长度

15.875mm

宽度

5.3086mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准