IXXN200N60B3H1
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IXYS IXXN200N60B3H1

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型号

IXXN200N60B3H1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXXN200N60B3H1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT

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IXXN200N60B3H1
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IXXN200N60B3H1详情

IXYS IXXN200N60B3H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 系列

    XPT™, GenX3™

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    780W

  • 配置

    Single

  • 功率 - 最大

    780W

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.7V

  • 最大集电极电流

    200A

  • 最大集极截止电流

    50μA

  • 输入电容

    9.97nF

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.7V @ 15V, 100A

  • IGBT类型

    PT

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    9.97nF @ 25V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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