APTC60DDAM35T3G
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Microchip APTC60DDAM35T3G

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型号

APTC60DDAM35T3G

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APTC60DDAM35T3G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SP3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET Array Dual N-CH 600V 72A 32-Pin Case SP3

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APTC60DDAM35T3G
APTC60DDAM35T3G Microchip Trans MOSFET Array Dual N-CH 600V 72A 32-Pin Case SP3

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APTC60DDAM35T3G详情

Microchip APTC60DDAM35T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 包装/外壳

    SP3

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    铝合金

  • 供应商器件包装

    SP3

  • Voltage, Rating

    50V

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    CA310

  • 厂商

    ITT Cannon, LLC

  • Product Status

    活跃

  • Contact Finish Mating

    Silver

  • Continuous Drain Current Id

    72

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    72A

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    MIL-DTL-5015, CA-B

  • 终端

    Crimp

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 定位的数量

    16

  • 颜色

    橄榄色

  • 紧固类型

    反向卡口锁

  • 子类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 额定电流

    22A, 41A

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 方向

    N (Normal)

  • 屏蔽/屏蔽

    -

  • 入口保护

    IP67 - Dust Tight, Waterproof

  • 外壳完成

    橄榄色镉

  • 外壳尺寸-插入

    24-7

  • 配置

    2 N-Channel (Dual)

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 功率 - 最大

    416W

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    35mOhm @ 72A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.9V @ 5.4mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    14000pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    518nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 信道型

    Dual N

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    -

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    -

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