Microchip APTC60HM70T1G

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

供应商器件包装

SP1

RoHS

Non-Compliant

Continuous Drain Current Id

39

Package

Bulk

Base Product Number

APTC60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

39A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

容差

1 %

终止次数

2

温度系数

100 ppm/°C

电阻

237 kΩ

组成

Metal Film

子类别

Discrete Semiconductor Modules

额定功率

250 mW

最大功率耗散

250 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

失败率

0.1 %

配置

4 N-Channel (Half Bridge)

功率耗散

250

功率 - 最大

250W

Rds On(Max)@Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 2.7mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

259nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

信道型

Dual N

场效应管特性

-

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

宽度

2.29 mm

长度

6.35 mm

无铅

含铅