Microchip APTC60TAM35PG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

4

供应商器件包装

SP6-P

RoHS

Compliant

Continuous Drain Current Id

72

Package

Bulk

Base Product Number

APTC60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

72A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

6

Turn Off Delay Time

283 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

416 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

频率稳定性

50 ppm

配置

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

最大电源电压

3.465 V

最小电源电压

3.135 V

负载电容

15 pF

功率耗散

416 W

接通延迟时间

21 ns

功率 - 最大

416W

Rds On(Max)@Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 5.4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

518nC @ 10V

上升时间

30 ns

漏源电压 (Vdss)

600V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

72 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

输入电容

14 nF

信道型

Dual N

场效应管特性

-

最大rds

35 mΩ

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

宽度

5 mm

高度

1.4 mm

长度

7 mm