Microchip APTC80DDA29T3G

包装/外壳

Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

终端数量

25

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTC80DDA29T3G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.62

Drain Current-Max (ID)

15 A

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-R-10509/7, RN55

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±100ppm/°C

电阻

3.09 Ohms

端子表面处理

锡银铜

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

25

JESD-30代码

R-XUFM-X25

资历状况

不合格

失败率

--

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15 A

漏极-源极导通最大电阻

0.29 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

800 V

雪崩能量等级（Eas）

670 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

156 W

特征

Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety

座位高度(最大)

--