Microchip APTC80H15T1G

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

表面安装

NO

供应商器件包装

SP1

终端数量

12

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

28

Package

Bulk

Base Product Number

APTC80

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTC80H15T1G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

28 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-X12

资历状况

不合格

配置

4 N-Channel (Half Bridge)

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

277W

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4507pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

最大漏极电流 (Abs) (ID)

28 A

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

110 A

DS 击穿电压-最小值

800 V

信道型

Dual N

雪崩能量等级（Eas）

670 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

277 W

场效应管特性

-

产品类别

Discrete Semiconductor Modules