APTC90AM60T1G
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Microchip APTC90AM60T1G

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型号

APTC90AM60T1G

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APTC90AM60T1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SP1

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

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APTC90AM60T1G Microchip MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

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APTC90AM60T1G详情

Microchip APTC90AM60T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SP1

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 引脚数

    1

  • 供应商器件包装

    SP1

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    APTC90

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    59A

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    Obsolete

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    400 ns

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    CoolMOS™

  • 包装

    Bulk

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 最大功率耗散

    462 W

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 配置

    2 N-Channel (Half Bridge)

  • 接通延迟时间

    70 ns

  • 功率 - 最大

    462W

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    60mOhm @ 52A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 6mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    13600pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    540nC @ 10V

  • 上升时间

    20 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    900V

  • 连续放电电流(ID)

    59 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 输入电容

    13.6 nF

  • 场效应管特性

    超级交界处

  • 最大rds

    60 mΩ

  • 辐射硬化

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