Microchip APTC90DSK12T1G

包装/外壳

CSON

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

1

终端数量

10

晶体管元件材料

SILICON

Product Depth (mm)

5(mm)

Operating Temp Range

-40C to 85C

Rad Hardened

无

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

400 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTC90DSK12T1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.84

Drain Current-Max (ID)

30 A

Usage Level

Industrial grade

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

250 W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-X10

资历状况

不合格

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250 W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

70 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

900 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

30 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.12 Ω

筛选水平

INDUSTRIALC

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75 A

输入电容

6.8 nF

DS 击穿电压-最小值

900 V

雪崩能量等级（Eas）

1940 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

250 W

最大rds

120 mΩ

产品长度(mm)

7(mm)

产品高度(mm)

1.4(mm)

辐射硬化

无