Microchip APTM08TAM04PG

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

表面安装

NO

供应商器件包装

SP6-P

终端数量

21

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

有

Manufacturer

Dynapar

Shaft Type

Hollow

Mounting Styles

Hollowshaft

Approvals

CE

Manufacturer Part Number

HS35R4096M16C

Continuous Drain Current Id

120

Package

Bulk

Base Product Number

APTM08

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

75 V

Typical Turn-On Delay Time

35 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

138 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 100 C

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Unit Weight

3.880136 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

4.2 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

100 ns

Id - Continuous Drain Current

120 A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

6

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.31

Drain Current-Max (ID)

120 A

操作温度

-40 to 85 Degrees C

系列

-

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

终端

3 ft Cable

ECCN 代码

EAR99

类型

Phase Leg

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

21

JESD-30代码

R-XUFM-X21

资历状况

不合格

输出电压

5 VDC

输出类型

Differential

配置

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

138

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

138W

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

153nC @ 10V

上升时间

60 ns

漏源电压 (Vdss)

75V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

漏极-源极导通最大电阻

0.0045 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

250 A

DS 击穿电压-最小值

75 V

信道型

Dual N

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

输入电压

5~26 VDC

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

轴承

有

知识产权评级

IP67