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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3202.939177
10
¥3021.640733
100
¥2850.604467
500
¥2689.249498
1000
¥2537.027826
APTM100H18FG详情
Microchip APTM100H18FG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP6
供应商器件包装
SP6
Continuous Drain Current Id
43
Package
Bulk
Base Product Number
APTM100
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
43A
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
子类别
Discrete Semiconductor Modules
技术
MOSFET (Metal Oxide)
配置
4 N-Channel (Half Bridge)
功率 - 最大
780W
Rds On(Max)@Id,Vgs
210mOhm @ 21.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
372nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
1000V (1kV)
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
信道型
Dual N
场效应管特性
-
APTM100H18FG拓展信息
Microchip Technology
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