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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1423.397184
10
¥1342.827531
100
¥1266.818422
500
¥1195.111724
1000
¥1127.463887
APTM100H45STG详情
Microchip APTM100H45STG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP4
供应商器件包装
SP4
Continuous Drain Current Id
18
Package
Bulk
Base Product Number
APTM100
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
配置
4 N-Channel (Half Bridge)
功率 - 最大
357W
Rds On(Max)@Id,Vgs
540mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4350pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
154nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
1000V (1kV)
信道型
Dual N
场效应管特性
-
APTM100H45STG拓展信息
Microchip Technology
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Microchip
Microchip
Microchip
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