Microchip APTM100H45STG

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP4

供应商器件包装

SP4

Continuous Drain Current Id

18

Package

Bulk

Base Product Number

APTM100

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

4 N-Channel (Half Bridge)

功率 - 最大

357W

Rds On(Max)@Id,Vgs

540mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

154nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1000V (1kV)

信道型

Dual N

场效应管特性

-