Microchip APTM20AM04FG

安装类型

面板安装

包装/外壳

SP6

表面安装

NO

供应商器件包装

SP6

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating DC

28V

Contact Materials

银合金

Voltage Rating AC

115V

Continuous Drain Current Id

372

Package

Bulk

Base Product Number

APTM20

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

372A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200 V

Typical Turn-On Delay Time

32 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

1.25 kW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

3.880136 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Tradename

POWER MOS 7

Rds On - Drain-Source Resistance

4 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

88 ns

Id - Continuous Drain Current

372 A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTM20AM04FG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.62

Drain Current-Max (ID)

372 A

系列

44

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

Phase Leg

定位的数量

10

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

1A (AC/DC)

引脚数量

7

触点表面处理

--

终端样式

焊片

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

执行器类型

Flatted (6.35mm Dia)

面板开孔尺寸

--

配置

2 N-Channel (Half Bridge)

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1250W

甲板数量

1

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5mOhm @ 186A, 10V

操作力

5.761 ~ 83gfm

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 10mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

28900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

560nC @ 10V

上升时间

64 ns

漏源电压 (Vdss)

200V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

触点定时

Non-Shorting (BBM)

漏极-源极导通最大电阻

0.005 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1488 A

索引停止

固定式

每层电路

SP10T

面板后深度

26.04mm

DS 击穿电压-最小值

200 V

信道型

Dual N

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

每个甲板的杆数

1

投掷角度

30°

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

特征

--

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

宽度

62 mm

高度

21.9 mm

长度

108 mm

执行器长度

11.10mm