APTMC120AM09CT3AG
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Microchip APTMC120AM09CT3AG

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型号

APTMC120AM09CT3AG

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APTMC120AM09CT3AG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SP3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET Array Dual N-CH 1200V 295A 32-Pin Case SP3F

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1最小包装量--

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APTMC120AM09CT3AG
APTMC120AM09CT3AG Microchip Trans MOSFET Array Dual N-CH 1200V 295A 32-Pin Case SP3F

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APTMC120AM09CT3AG详情

Microchip APTMC120AM09CT3AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    SP3

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    SP3

  • 终端数量

    32

  • 执行器材料

    Brass, Chrome Plated

  • 晶体管元件材料

    碳化硅

  • Voltage Rating DC

    28V

  • ElectricalLife

    30,000 Cycles

  • Voltage Rating AC

    125V

  • Continuous Drain Current Id

    295

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    APTMC120

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    295A (Tc)

  • 厂商

    微芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    微芯片技术

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X32

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    APTMC120AM09CT3AG

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.76

  • Drain Current-Max (ID)

    295 A

  • 操作温度

    -30°C ~ 85°C

  • 系列

    34D

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 技术

    Silicon Carbide (SiC)

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 入口保护

    IP67 - Dust Tight, Waterproof

  • Reach合规守则

    compliant

  • 额定电流

    3A (AC/DC)

  • 终端样式

    PC引脚

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X32

  • 执行器类型

    标准圆形

  • 电路

    DPDT

  • 开关功能

    On-On

  • 面板开孔尺寸

    --

  • 配置

    2 N Channel (Phase Leg)

  • 照明电压(标称)

    --

  • 照明类型,颜色

    --

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 照明

    Non-Illuminated

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    1250W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9mOhm @ 200A, 20V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.4V @ 40mA (Typ)

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    11000pF @ 1000V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    644nC @ 20V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1200V (1.2kV)

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 套管螺纹

    Unthreaded

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    295 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.009 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    590 A

  • DS 击穿电压-最小值

    1200 V

  • 信道型

    Dual N

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1250 W

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    环氧树脂密封端子

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 执行器长度

    6.10mm

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