Microchip APTMC120AM55CT1AG

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

表面安装

NO

供应商器件包装

SP1

终端数量

12

晶体管元件材料

碳化硅

Continuous Drain Current Id

55

Package

Bulk

Base Product Number

APTMC120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTMC120AM55CT1AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.65

Drain Current-Max (ID)

55 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

技术

Silicon Carbide (SiC)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XUFM-X12

配置

2 N-Channel (Half Bridge)

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

250W

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 2mA (Typ)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 1000V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

98nC @ 20V

漏源电压 (Vdss)

1200V (1.2kV)

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

55 A

漏极-源极导通最大电阻

0.049 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

110 A

DS 击穿电压-最小值

1200 V

信道型

Dual N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

250 W

场效应管特性

-