Microchip APTMC170AM60CT1AG

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

表面安装

NO

供应商器件包装

SP1

终端数量

12

晶体管元件材料

碳化硅

包装数量

25

Mounting Orientation

Universal

Handle Material

Zinc Alloy

Handle Width

35.0 mm

Handle Length

160.0 mm

Continuous Drain Current Id

50

Package

Bulk

Base Product Number

APTMC170

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-P12

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTMC170AM60CT1AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.75

Drain Current-Max (ID)

50 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

颜色

Black

技术

Silicon Carbide (SiC)

端子位置

UPPER

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XUFM-P12

配置

2 N Channel (Phase Leg)

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

350W

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60mOhm @ 50A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 2.5mA (Typ)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3080pF @ 1000V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

190nC @ 20V

漏源电压 (Vdss)

1700V (1.7kV)

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.07 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

1700 V

信道型

Dual N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

350 W

场效应管特性

-

钥匙类型

Keyless

键控

No Key

头部高度

12.0 mm