Microchip MSCMC170AM08CT6LIAG

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

供应商器件包装

SP6C LI

终端数量

11

晶体管元件材料

碳化硅

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Base Product Number

MSCMC170

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

280A (Tc)

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Min

-40 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MSCMC170AM08CT6LIAG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

280 A

系列

*

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XUFM-X11

配置

SERIES, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1780W (Tc)

场效应管类型

2 N Channel (Phase Leg)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.7mOhm @ 300A, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 108mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

22000pF @ 1000V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1128nC @ 20V

漏源电压 (Vdss)

1700V (1.7kV)

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

280 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0117 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

560 A

DS 击穿电压-最小值

1700 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1780 W

场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)