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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.512866
10
¥12.747984
100
¥12.026404
500
¥11.34566
1000
¥10.703459
Microchip Technology DN2450K4-G
- 收藏
- 对比
DN2450K4-G
1610-DN2450K4-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DN2450K4-G详情
Microchip Technology DN2450K4-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
350mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低阈值
HTS代码
8541.90.00.00
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 300mA, 0V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 25V
上升时间
20ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
350mA
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1A
场效应管特性
耗尽模式
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DN2450K4-G拓展信息
Microchip Technology
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