Microchip Technology LN100LA-G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VFLGA

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-25°C~125°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

350mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

BUTT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel (Cascoded)

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

3000 Ω @ 2mA, 2.8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.6V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

1200V 1.2kV

连续放电电流(ID)

3mA

栅极至源极电压(Vgs)

1.6V

漏源击穿电压

600V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant