Microchip Technology TN0604N3-G-P005

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

700mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

740mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

高输入阻抗

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

O-PBCY-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

750m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.6V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

190pF @ 20V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

700mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.75Ohm

DS 击穿电压-最小值

40V

反馈上限-最大值 (Crss)

50 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant