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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.500006
10
¥10.849061
100
¥10.234966
500
¥9.655627
1000
¥9.109084
Microchip Technology VN0606L-G-P003
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- 对比
VN0606L-G-P003
1610-VN0606L-G-P003
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
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MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
VN0606L-G-P003详情
Microchip Technology VN0606L-G-P003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
330mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
330mA
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
3Ohm
漏源击穿电压
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
VN0606L-G-P003拓展信息
Microchip Technology
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