Nexperia USA Inc. 2N7002BKMB,315

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

450mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

JESD-609代码

e3

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

BOTTOM

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

715mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6 Ω @ 450mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.6nC @ 4.5V

上升时间

6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

450mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.45A

漏源击穿电压

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant