注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.150834
10
¥9.576261
100
¥9.034208
500
¥8.522836
1000
¥8.040414
Nexperia USA Inc. BUK7K89-100EX
- 收藏
- 对比
BUK7K89-100EX
1729-BUK7K89-100EX
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-1205, 8-LFPAK56
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK7K89-100EX详情
Nexperia USA Inc. BUK7K89-100EX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1205, 8-LFPAK56
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
38W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
38W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
82.5m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
811pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
连续放电电流(ID)
13A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
51A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
19.5 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK7K89-100EX拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.










哦! 它是空的。