Nexperia USA Inc. BUK9219-55A,118

工厂交货时间

26 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

400 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

114W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A Tc

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2010

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

114W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

45 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17.6m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2920pF @ 25V

上升时间

130ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

130 ns

连续放电电流(ID)

55A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大双电源电压

55V

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

219A

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant

无铅

无铅