Nexperia USA Inc. BUK9K6R2-40E,115

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-1205, 8-LFPAK56

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

44.4 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

68W

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G6

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

68W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3281pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35.4nC @ 10V

上升时间

7.1ns

下降时间（典型值）

19.8 ns

连续放电电流(ID)

40A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大双电源电压

40V

漏源击穿电压

40V

雪崩能量等级（Eas）

166 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant