Nexperia USA Inc. PH2625L,115

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

引脚数

5

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

67 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

62.5W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

41 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4308pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 4.5V

上升时间

52ns

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅