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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.316011
10
¥0.298124
100
¥0.281249
500
¥0.26533
1000
¥0.250311
Nexperia USA Inc. PMBF170,215
- 收藏
- 对比
PMBF170,215
1729-PMBF170,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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NEXPERIA - PMBF170,215 - MOSFET Transistor, N Channel, 300 mA, 60 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V
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¥
总价: ¥
PMBF170,215详情
Nexperia USA Inc. PMBF170,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
830mW Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 1mA
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
5Ohm
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
830mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ω @ 500mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
40pF @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
300mA
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏源击穿电压
60V
栅源电压
2 V
最小击穿电压
60V
高度
1mm
长度
3mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMBF170,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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