Nexperia USA Inc. PMPB85ENEAX

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta 15.6W Tc

Turn Off Delay Time

10.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

DUAL

引脚数量

6

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.7V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

305pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.2nC @ 10V

上升时间

3.5ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.5 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.095Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

12.6 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant