Nexperia USA Inc. PMV65XPEAR

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

480mW Ta 6.25W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.25V @ 250μA

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

78m Ω @ 2.8A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

618pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

2.8A

JEDEC-95代码

TO-236AB

漏极-源极导通最大电阻

0.078Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant