Nexperia USA Inc. PQMD3Z

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFDFN Exposed Pad

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

最大功率耗散

230mW

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-N6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

230mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

150mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 5mA 5V

最大集极截止电流

1μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 500μA, 10mA

转换频率

230MHz

频率转换

230MHz 180MHz

电阻基(R1)

10k Ω

电阻-发射极基极(R2)

10k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant