Nexperia USA Inc. PSMN2R0-25MLDX

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-1210, 8-LFPAK33

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

74W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.27m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2490pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

70A

漏极-源极导通最大电阻

0.00306Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

555A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

361 mJ

场效应管特性

Schottky Diode (Body)

RoHS状态

ROHS3 Compliant