ON Semiconductor ECH8601M-TL-H

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

3 μs

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1.5W

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

300 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 1mA

无卤素

无卤素

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5nC @ 4.5V

上升时间

1μs

漏源电压 (Vdss)

24V

下降时间（典型值）

1.8 μs

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.03Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

DS 击穿电压-最小值

24V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 2.5V Drive

高度

900μm

长度

2.9mm

宽度

2.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅