ON Semiconductor MMDF2P02ER2G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-2.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

475pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

29ns

漏源电压 (Vdss)

25V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

漏源击穿电压

-25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

13A

雪崩能量等级（Eas）

245 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅