注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
NDS8858H
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-NDS8858H
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET CMOSFET Half Bridge
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NDS8858H详情
技术参数
PDF文档
型号对比
ON Semiconductor NDS8858H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
8
质量
230.4mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.3A 4.8A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
1W
额定电流
4.8A
功率耗散
2.5W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35m Ω @ 4.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
720pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
20ns
下降时间(典型值)
19 ns
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
技术文档: ON Semiconductor NDS8858H.
右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NDS8858H相似的参数规格。
Surface Mount
4.8 A
6.3A, 4.8A
20 V
1 W
2.5 W
7 A
7A, 5A
2 W
6.2 A
4.9A
2.1 W
Diodes Incorporated
5 A
900 mW
5.3 A
-
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NDS8858H拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTJD4152PT2G
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
品牌:ON Semiconductor
¥2.993267
型号:FDD8424H
封装:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
库存:1938
型号:FDS4559
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
库存:0
型号:NTMD6N02R2G
¥9.126194
型号:NDC7002N
封装:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
库存:239
型号:FDC3601N
库存:20790
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