NDS8858H
NDS8858H

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ON Semiconductor NDS8858H

  • 收藏
  • 对比

型号

NDS8858H

utmel 编号

1807-NDS8858H

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET CMOSFET Half Bridge

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
NDS8858H
NDS8858H ON Semiconductor MOSFET CMOSFET Half Bridge

请发送询价,我们将立即回复。

库存:9500

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

NDS8858H详情

ON Semiconductor NDS8858H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    230.4mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6.3A 4.8A

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    40 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    1W

  • 额定电流

    4.8A

  • 功率耗散

    2.5W

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    35m Ω @ 4.8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.8V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    720pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    30nC @ 10V

  • 上升时间

    20ns

  • 下降时间(典型值)

    19 ns

  • 连续放电电流(ID)

    4.8A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NDS8858H相似的参数规格。

查看更多

NDS8858H拓展信息

FDG6301N
FDG6301N

ON Semiconductor

NDC7001C
NDC7001C

ON Semiconductor

FDS4935BZ
FDS4935BZ

ON Semiconductor

FDC6303N
FDC6303N

ON Semiconductor

FDC6301N
FDC6301N

ON Semiconductor

FDS8958A
FDS8958A

ON Semiconductor

FDC6333C
FDC6333C

ON Semiconductor

FDS4935A
FDS4935A

ON Semiconductor

FDG8850NZ
FDG8850NZ

ON Semiconductor

FDS6898A
FDS6898A

ON Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z