注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
NDS9953A
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-NDS9953A
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET SO-8 P-CH ENHANCE
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NDS9953A详情
技术参数
PDF文档
型号对比
ON Semiconductor NDS9953A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
8
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
900mW
额定电流
-2.9A
行间距
6.3 mm
元素配置
Dual
功率耗散
2W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
21ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
2.9A
阈值电压
-1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
双电源电压
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
-1.6 V
宽度
4.05mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
技术文档: ON Semiconductor NDS9953A.
右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NDS9953A相似的参数规格。
Surface Mount
2.9 A
20 V
900 mW
2 W
Infineon Technologies
-3.6 A
-1 V
3 A
-2.1 V
25 V
-
1.6 mW
3.5 A
1 V
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NDS9953A拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTJD4152PT2G
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
品牌:ON Semiconductor
¥3.014748
型号:FDD8424H
封装:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
库存:1938
型号:FDS4559
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
库存:0
型号:NTMD6N02R2G
¥8.067412
型号:NDC7002N
封装:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
库存:239
型号:FDC3601N
库存:20790
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