QS8K51TR
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ROHM Semiconductor QS8K51TR

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型号

QS8K51TR

utmel 编号

2078-QS8K51TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8

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QS8K51TR ROHM Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8

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QS8K51TR详情

ROHM Semiconductor QS8K51TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SMD, Flat Lead

  • 引脚数

    8

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    30 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    1.5W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    *K51

  • 通道数量

    2

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    10ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    2A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2A

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    6A

  • DS 击穿电压-最小值

    100V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    240mOhm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & QS8K51TR相似的参数规格。

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