ROHM Semiconductor R5205CNDTL

工厂交货时间

17 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Ta

Turn Off Delay Time

40 ns

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

已出版

2010

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6 Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

320pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.8nC @ 10V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

525V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

525V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅