ROHM Semiconductor RK7002BT116

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Turn Off Delay Time

18 ns

Power Dissipation (Max)

200mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

250mA Ta

已出版

2010

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.4Ohm

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200mW

接通延迟时间

3.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4 Ω @ 250mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15pF @ 25V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

250mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25A

漏源击穿电压

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅