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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.183756
10
¥1.116751
100
¥1.053538
500
¥0.993905
1000
¥0.937646
ROHM Semiconductor RQ5H020SPTL
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- 对比
RQ5H020SPTL
2078-RQ5H020SPTL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-96
大陆
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MOSFET P-CH 45V 2A TSMT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RQ5H020SPTL详情
ROHM Semiconductor RQ5H020SPTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
引脚数
96
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
540mW Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
130mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
190m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
500pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
45V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
2A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
DS 击穿电压-最小值
45V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RQ5H020SPTL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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