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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.193809
10
¥2.069632
100
¥1.952482
500
¥1.841964
1000
¥1.737703
ROHM Semiconductor RRL035P03TR
- 收藏
- 对比
RRL035P03TR
2078-RRL035P03TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SMD, Flat Leads
大陆
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MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RRL035P03TR详情
ROHM Semiconductor RRL035P03TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
320mW Ta
Turn Off Delay Time
75 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
800pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.05Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RRL035P03TR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







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