RRL035P03TR
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ROHM Semiconductor RRL035P03TR

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型号

RRL035P03TR

utmel 编号

2078-RRL035P03TR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6

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RRL035P03TR ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6

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RRL035P03TR详情

ROHM Semiconductor RRL035P03TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.5A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    320mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    75 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Copper (Sn/Cu)

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    6

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    7 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    50m Ω @ 3.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    800pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8nC @ 5V

  • 上升时间

    9ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    40 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.05Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    30V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor RRL035P03TR.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RRL035P03TR相似的参数规格。

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RRL035P03TR拓展信息

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RVQ040N05TR
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